Во время последнего IDF на Тайване компания Samsung уточнила, что планирует производить новый стандарт памяти DDR 3 начиная со второго квартала 2006 года. Как было сказано, DDR 3 начнет свое «шествие по планете» с частоты 800 МГц. Чуть позже должны появиться версии с частотой 1066 и 1333 МГц.

Благодаря своей архитектуре DDR 3 должна обеспечивать ту же пропускную способность, что и DDR 2, при этом функционируя на вдвое меньшей тактовой частоте. Помимо этого, DDR 3 питается от 1,5 В против 1,8 В у DDR 2 и 2,6 В у DDR. Это значит, что новая память обеспечит меньшее энергопотребление, что благоприятно скажется, в первую очередь, на переносных компьютерах, время автономной работы которых является одним из самых важных параметров.

DDR 3 1066 МГц и DDR 3 1333 МГц будут производиться по 70 нм техпроцессу и должны потреблять соответственно на 40% и 29 % энергии меньше, чем память DDR 2 800 МГц, изготовленная по 90 нм техпроцессу. И всё же , прежде чем начать пользоваться этим новым поколением памяти, придется подождать еще немало. Так, Intel со своей стороны, не предусматривает использовать DDR 3 на своих платформах до второго квартала 2007 года, а в целом широкое распространение DDR 3 не предусматривается до начала 2009 года.